据 hindustantimes.com 报道，印度正制定一项新的生产挂钩激励（PLI）计划，专门支持多晶硅本土化生产，目标是到 2030 年实现 30 GW 国内多晶硅产能。
上游缺口成能源自主关键瓶颈
印度新能源与可再生能源部（MNRE）秘书长桑托什·库马尔·萨兰吉（Santosh Kumar Sarangi）上月表示，政府计划到 2030 年建成至少 30 GW 多晶硅产能，预计吸引投资约₹ 25,000 crore。他同时指出，建设每 1 GW 多晶硅产能（含冶金级硅）需投资约₹ 850 crore。
目前，印度多晶硅进口依赖度接近 100%，晶圆进口依赖度超 90%，主要来源为中国。印度国家转型委员会（NITI Aayog）一份报告指出，中国在多晶硅、晶锭、晶圆、电池片和组件五大关键环节的产能占比均超 80%；其中，其 2024 年多晶硅新增及存量产能份额达 93–98%，晶圆为 95%，电池片为 91%，组件为 82%。
截至 2026 年 6 月，印度累计光伏装机容量达 162 GW，成为该国最大可再生能源电源。2025 年，印度新增光伏装机 37 GW，为全球第二大增长市场，仅次于中国的 315 GW，高于美国的 34 GW（国际可再生能源署 IRENA 数据）。
下游产能已具规模，上游仍严重受制
萨兰吉在 8 月 7 日于新德里举行的印度工商联合会（CII）活动上透露，印度目前已建成超 200 GW 光伏组件产能和逾 32 GW 电池片产能，另有约 100 GW 电池片产能将在一年内投产。政府还设定了到 2028 年 6 月前建成至少 80 GW 晶锭与晶圆产能的目标。
但晶锭、晶圆与多晶硅这三大支撑电池生产的上游环节，仍几乎全部依赖进口。NITI Aayog 8 月 13 日发布的《定位印度为全球制造枢纽的关键行业》报告强调，中国对多晶硅市场的主导地位，已构成供应链与国家安全双重风险；且中方成本优势显著，若无政府强力支持，印度本土商业化产能难以建立。
此前覆盖多晶硅、硅片、电池片及组件的 PLI 计划，预计仅能带来少量上游产能，因此需专设多晶硅激励方案。截至目前，印度政府已在光伏组件与电池片 PLI 项目中承诺拨款约₹ 240 billion。按每 GW 投入₹ 850 crore 测算，30 GW 多晶硅建设计划体量与之相当。
多晶硅兼具光伏与半导体双重战略价值
多晶硅不仅是光伏产业链核心原料，也是半导体制造的关键基础材料。印度政府正通过“自力更生印度”（Atmanirbhar Bharat）计划同步推动半导体产业发展，本土多晶硅产能建设因而具备双重战略意义。
多晶硅生产需以石英砂为原料，经冶炼与化学气相沉积等高资本、高能耗工艺提纯，再铸锭、切片制成晶圆。该工艺技术门槛高、工厂建设成本大，且需持续稳定的大规模电力供应——而中国产能高度集中于电价低廉且供电连续的省份。
萨兰吉指出：“进展缓慢的根源在于化学工艺更复杂、工厂造价更高，且必须保障极大量不间断电力。”
本文编译自海外媒体报道，由 SCI.AI 编辑团队整理发布。
